2 اینچ GaP Wafer با OF محل / طول EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD تحرک Min 100
جزئیات محصول:
محل منبع: | China |
نام تجاری: | ZMSH |
شماره مدل: | GaP wafer |
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: | 5 |
---|---|
زمان تحویل: | 2-4 هفته |
شرایط پرداخت: | T/T |
اطلاعات تکمیلی |
|||
شمارش ذرات: | N/A | پیچ و تاب: | حداکثر: 10 |
---|---|---|---|
گرد کردن لبه: | 0.250mmR | پایان سطح پشت: | پولیش شده |
تحرک: | حداقل: 100 | دوپانت: | اس |
TTV/TIR: | حداکثر: 10 | نوع لوله: | S-C-N |
برجسته: | دو اینچ گاپ وفر,وفر LED LD GaP,LED LD GaP Wafer |
توضیحات محصول
گپ وفر 2 اینچ با OF محل / طول EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD تحرک Min 100
توضیحات محصول:
وفر GaP یک بستر نیمه هادی است که عمدتاً در ساخت دستگاه های مختلف الکترونیکی و اپتو الکترونیک استفاده می شود.وافرهای گالیوم فسفید (GaP) دارای خواص نوری و الکترونیکی استثنایی هستند که آنها را در زمینه فناوری نیمه هادی ضروری می کننداین وافرها به دلیل توانایی تولید نور در طیف های مختلف شناخته شده اند و تولید LED ها و دیود های لیزری را در رنگ های قرمز، سبز و زرد امکان پذیر می کنند.
فاصله باند گسترده تقریباً 2.26 ولت الکترون (eV) امکان جذب موجی خاص نور را به گاف های GaP می دهد. این ویژگی برای کاربردهای اپتو الکترونیک بسیار مهم است.که باعث می شود GaP یک انتخاب عالی برای فتو دیتکتورها باشد.، سلول های خورشیدی و سایر دستگاه هایی که نیاز به جذب نور متناسب دارند.
علاوه بر این، GaP هدایت الکتریکی قوی و ثبات حرارتی را نشان می دهد، که آن را برای دستگاه های الکترونیکی فرکانس بالا و برنامه های کاربردی که مدیریت حرارتی ضروری است مناسب می کند.
وافرهای GaP نه تنها به عنوان ماده پایه برای تولید دستگاه عمل می کنند بلکه به عنوان بستر برای رشد اپیتاسیال سایر مواد نیمه هادی نیز عمل می کنند.ثبات شیمیایی آنها و پارامترهای شبکه نسبتاً تطبیقی محیط مطلوبی را برای سپرده گذاری و ساخت لایه های نیمه هادی با کیفیت بالا فراهم می کند.
در اصل، وافرهای GaP زیربناهای نیمه هادی بسیار متنوع هستند که در تولید LED ها، دیود های لیزر، دستگاه های الکترونیکی فرکانس بالا،و طیف وسیعی از اجزای اپتوالکترونیکی به دلیل قابلیت نوری برتر آنها، خواص الکترونیک و حرارتی.
ویژگی ها:
- نام محصول: سیمیکوندکتور سبسترات GaP Wafer
- پنکه های بسیار ضخیم اکسید سیلیکون
- پنکه های اکسید سیلیکون
- نوع لوله Wafer GaP: SCN
- رسانایی
- تحرک: دقیقه 100
- زاویه جهت گیری Wafer GaP: N/A
- تعداد ذرات Wafer GaP: N/A
- ضخامت: Min 175 Max 225
- هدایت الکتریکی: GaP هدایت الکتریکی خوبی را نشان می دهد.کمک به استفاده از آن در دستگاه ها و برنامه های الکترونیکی با فرکانس بالا که عملکرد الکترونیکی قابل اعتماد ضروری است.
- ثبات حرارتی: GaP دارای رسانایی حرارتی قابل توجه و ثبات است، که آن را برای کاربردهایی که نیاز به مدیریت حرارتی موثر دارند مناسب می کند.
- عملکرد زیربنایی: وافرهای GaP نه تنها به عنوان مواد پایه برای ساخت دستگاه بلکه به عنوان زیربنایی برای رشد اپیتاسیال نیز استفاده می شوند.که اجازه قرار دادن لایه های نیمه هادی اضافی را می دهدسازگاری آن ها با مواد دیگر و پارامترهای نسبتاً تطبیق یافته شبکه، رشد لایه های نیمه هادی با کیفیت بالا را تسهیل می کند.
پارامترهای فنی:
پارامتر | ارزش |
---|---|
زاویه جهت گیری | N/A |
سطح به عقب برگرد | پولیش شده |
اینگوت CC | حداقل:1E17 حداکثر:1E18 سانتی متر |
درجه | A |
اپي آماده | آره |
محل/طول | EJ[0-1-1]/ 16±1mm |
سرعت جنگلی | مکس:10 |
تعداد ذرات | N/A |
مواد تقویت کننده | S |
مقاومت | دقیقه:0.01 مکس:0.5 Ω.cm |
کاربردها:
- تولید دی ایدی ها و دستگاه های لیزری: وافرهای GaP در ساخت دیود های تولید کننده نور (LED) و دیود های لیزر (LD) استفاده می شوند.خواص نوری استثنایی آنها باعث تولید نور در طول موج های مختلف مانند قرمز می شود.این باعث می شود که GaP برای کاربردهای روشنایی، نمایشگرها، چراغ های شاخص و دستگاه های لیزری ضروری باشد.
- GaP Wafer Photodetectors: GaP به دلیل قابلیت جذب نور برتر در طول موج های خاص در تولید فوتودتکتورها استفاده می شود.این آشکارسازها برای دریافت و تشخیص سیگنال های نوری در محدوده های محدودی از طول موج استفاده می شونداز جمله نور مادون قرمز
- سلول های خورشیدی GaP Wafer: سلول های خورشیدی GaP، در حالی که به طور بالقوه در مقایسه با مواد دیگر بهره وری کمتری دارند، خواص جذب نور خوبی را در طیف های خاص نشان می دهند.این باعث می شود که آنها برای محدوده طول موج خاص در کاربردهای خورشیدی مناسب باشند..
- دستگاه های نیمه هادی: GaP به عنوان یک ماده نیمه هادی در آماده سازی دستگاه های نوری طراحی شده برای محدوده طول موج خاص استفاده می شود.به دلیل ویژگی های الکترونیکی آن، GaP در ساخت دستگاه های الکترونیکی فرکانس بالا استفاده می شود.
- به طور کلی، وافرهای GaP نقش مهمی در زمینه های اپتوالکترونیک و دستگاه های نیمه هادی دارند.و دستگاه های نوری طراحی شده برای محدوده طول موج خاص.
سفارشی سازی:
نام تجاری: ZMSH
شماره مدل: GaP Wafer
محل پیدایش: چین
مکس10
مواد: GaP
IF مکان/طول: EJ[0-1-1]/7±1mm
درجه: A
ماده تقویت کننده: S
ما خدمات سفارشی را برای ZMSH GaP Wafer با تکنولوژی فیلم نازک و الکترواکسیداسیون ارائه می دهیم، با استفاده از مواد نیمه هادی با کیفیت بالا.
پشتیبانی و خدمات:
ما پشتیبانی فنی و خدمات را برای محصولات نیمه هادی ارائه می دهیم. پشتیبانی و خدمات ما شامل:
- خط تماس پشتیبانی فنی 24/7
- نرم افزار رایگان و به روز رسانی های نرم افزار ثابت
- خدمات تعمیر و نگهداری در محل
- انجمن پشتیبانی فنی آنلاین
- تشخیص از راه دور و رفع مشکل
- قطعات جایگزین و لوازم جانبی
تیم ما از مهندسان باتجربه در دسترس است تا به هر سوالی پاسخ دهد و در نصب، راه اندازی و رفع مشکل کمک کند. ما به ارائه بالاترین سطح خدمات به مشتریان اعتقاد داریم.امروز با ما تماس بگیرید تا اطلاعات بیشتری در مورد پشتیبانی فنی و خدمات ما کسب کنید.